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LW1DSE > TECHNO 04.06.12 22:30l 202 Lines 12438 Bytes #999 (0) @ WW
BID : 4385-LW1DSE
Read: GUEST DK3UZ OE7FMI
Subj: Fuentes de alimentaci¢n conmutadas 15/38
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To : TECHNO@WW
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ÉÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍ»
º FUENTES DE ALIMENTACION CONMUTADAS º
º Por Osvaldo LW1DSE º
ÈÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍͼ
Vamos a analizar en esta oportunidad, una configuraci¢n especial de
la cual ya di una intro, pero en este caso aplicado a una topolog¡a aislada.
Se trata de un circuito de fuente swiching con rectificaci¢n sincr¢nica (SR)
o forzada, aplicada al lado secundario del transformador.
La rectificaci¢n sincr¢nica no hace uso de diodos para la obtenci¢n
de corriente cont¡nua a partir de una alternada, pues siempre las p‚rdidas
de conducci¢n en un diodo son m s grandes a medianos y altos niveles de
corrientes de carga que un MOSFET. En bajos niveles, normalmente no se utiliza
debido a que las p‚rdidas, si bien pueden ser elevadas comparadas con las
del/los MOSFET, hacer un circuito de SR no se justifica econ¢micamente.
En cambio, se hace uso de un juego de MOSFET's que reemplaza a los
diodos, y son encendidos sincr¢nicamente por el driver. Para justificar lo
antes dicho vamos a sacar unas cuentas. Un diodo Schottky usualmente tiene una
ca¡da en directa de unos .3 a .4 Volts. Si por ‚l circula una corriente de
unos 50 Amper, estamos en una potencia discipada (despreciando las p‚rdidas
de conmutaci¢n y otras) de unos 20 Watts. Un MOSFET con una RDSon de .002 ohm
(actualmente ya tienen un costo m s que razonable) al mismo r‚gimen de cor-
riente discipa solamente 5 Watts. Es decir, 1/4 de la requerida para los
diodos. Esto, adem s de mejorar el rendimiento, reduce los costos relacionados
con la discipaci¢n del calor generado (discipadores y ventiladores, con ellos
el peso del producto terminado y el ruido ac£stico generado).
Para entender el funcionamiento, vamos a redibujar la topolog¡a half
bridge, pero con en circuito secundario adaptado para aplicar la rectificaci¢n
sincr¢nica. Para ello, se pueden usar dos sistemas diferentes, uno que utiliza
un circuito de comando de los MOSFET SR's independiente para ellos, derivado
del PWM, que resulta m s costoso, pero m s eficiente; o usar una se¤al
derivada desde el propio transformador de potencia.
ÚÄÄÄ¿
³ ³
³ÄÄÙ ³
ÚÄÄÄ´<Ä¿ ³ MF3
MF1 ³ ³ÄÄ´ ³
oÄÄÄÂÄÄÄÂÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄ¿ ³ ³ ³
+ ³ ³ ³ÄÄÙ T1 n2³ ³ ³ ÍÍÍÍÍÍÍ L1 +Eo
³ ³+ oÄÄÄÄ´<Ä¿ ºÚÄÄ(ÄÂÄÄÄÄÙ ÚÄ)ÄÄÄÛÛÛÛÛÄÄÂÄÄÄÄÄÄ¿
± ÄÁÄ PWM2 ³ÄÄ´ ÚÄÄÄÄÄ¿ºÛ ø³ ³ ³ ³ ³ ³
± ÄÂÄ oÄÄÄÄÄÄÄ´ ³ øÛºÛ ³ ³ ³ ³ ³ ³
R2 ± C1³- ³ ³ ÛºÛ ³ ³ ³ ³ ³ ³
³ ³ ÃÄÄÄÙ n1 ÛºÃÄÄ)Ä)ÄÄÄÄÄÄÙ ³ ³ ³
³ ³ ³ ÛºÛ ø³ ³ ³ ³ ³
ÃÄÄÄÅÄ¿ Ei/2 ³ ³³ ÛºÛ ³ ³ ³ ³ ³
³ ³ ÀÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄ(ÄÄÄ´ÃÄÄÄÄÙºÛ ³ ³ ³ ³ ³
³ C2³+ ³ ³³CA ºÀÄÄÁÄ(ÄÄÄÄ¿ ³ +³Co ±
R1 ± ÄÁÄ ³ÄÄÙ n2 ³ ³ ³ ÄÁÄ ±
± ÄÂÄ oÄÄÄÄ´<Ä¿ MF2 ³ ³ ³ ÄÂÄ Rc ±
± ³- PWM1 ³ÄÄ´ ³ ³ÄÄ´ ³ -³ ³
- ³ ³ oÄÄÄÄÄÄÄ´ ÀÄ´<ÄÙ ³ ³ ³
oÄÄÄÁÄÄÄÅÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÙ MF4 ³ÄÄ¿ ÃÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÅÄÄÄÄÄÄÙ
ÄÁÄ ³ ³ ÄÁÄ
/// GND 1 Figura 1 ÀÄÄÄÙ \\\ GND 2
En la figura 1 vemos el esquem tico de una fuente conmutada con recti-
ficador sincr¢nico autoexitado. Se lo llama as¡ porque la energ¡a necesaria
para comandar los MOSFET MF3 y MF4 (que son los que act£an como rectificadores
sincr¢nicos), es extra¡da desde el propio tranformador de potencia. N¢tese que
ahora la rectificaci¢n se hace por el lado del negativo de la tensi¢n de
salida, pero el resultado es similar. Cuando el switch MF1 es encendido desde
el circuito de control, impone (como ya hab¡amos decripto) una tensi¢n posi-
tiva al primario del transformador, cuyo otro extremo est conectado a la
mitad de la tensi¢n de entrada rectificada. Esto hace que todos los terminales
individualizados con el s¡mbolo (ø) se hagan positivos. Entonces, el terminal
superior del secundario del transformador se hace positivo con respecto al
inferior. Es as¡ como el MOSFET MF4 hace su gate positivo con referencia a su
source haci‚ndolo entrar en conducci¢n, cerrando el circuito de salida por la
mitad inferior del secundario, el terminal (-), la carga, el inductor y
retornando por el polo (+) y el punto medio al transformador. La situaci¢n se
invierte cuando conduzca MF2. �ste £ltimo pone un negativo sobre el primario
del transformador y hace a todos los terminales (ø) negativos. Entonces, el
terminal inferior del devanado secundario se hace positivo con respecto al
superior, forzando al MF3 a entrar en conducci¢n, y cerrar al semi-secundario
superior sobre la carga, inductor, para retornar por el punto medio. Los
per¡odos de freeweeling que normalmente son cortos comparados con los de
entrega de potencia desde el primario, son conducidos por los diodos
intr¡nsecos de los MOSFET. Esto genera p‚rdidas y por ende calentamiento de
los MOSFET.
Eso se soluciona complicando un poco el circuito, y haciendo un peque-
¤o transformador de exitaci¢n independiente para las compuertas del los SR's.
ÚÄÄÄ¿
³ ³
G ³ÄÄ´S ³
ÚÄÄ´<ÄÙ ³ MF3
MF1 ³ ³ÄÄ¿D ³
oÄÄÄÂÄÄÄÂÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄ¿ ³ ³ ³
+ ³ ³ ³ÄÄÙ T1 n2 ³ ³ ³ ÍÍ ÍÍÍÍÍ L1 +Eo
³ ³+ oÄÄÄÄ´<Ä¿ ºÚÄÄ(ÄÄÄÄÄÙ ÃÄÄÄÄÛÛÛÛÛÄÄÂÄÄÄÄÄÄ¿
± ÄÁÄ PWM2 ³ÄÄ´ ÚÄÄÄÄÄ¿ºÛ ø³ ³ ³ ³
± ÄÂÄ oÄÄÄÄÄÄÄ´ ³ øÛºÛ ³ ³ ³ ³
R2 ± C1³- ³ ³ ÛºÛ ³ ³ ³ ³
³ ³ ÃÄÄÄÙ n1 ÛºÃÄÄ)ÄÄÄÄÄÄÄÄÄ)ÄÄ¿ ³ ³
³ ³ ³ ÛºÛ ø³ ³ ³ ³ ³
ÃÄÄÄÅÄ¿ Ei/2 ³ ³³ ÛºÛ ³ ³ ³ ³ ³
³ ³ ÀÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄ(ÄÄÄ´ÃÄÄÄÄÙºÛ ³ ³ ³ ³ ³
³ C2³+ ³ ³³CA ºÀÄÄ)ÄÄÄÄÄ¿ ³ ³ +³ Co ±
R1 ± ÄÁÄ ³ÄÄÙ ÚÄÄÄÙ ³ ³ ³ ÄÁÄ ±
± ÄÂÄ oÄÄÄÄ´<Ä¿ MF2 ³ ³ ³ ³ ÄÂÄ Rc ±
± ³- PWM1 ³ÄÄ´ ³ G ³ÄÄÙD ³ ³ -³ ³
- ³ ³ oÄÄÄÄÄÄÄ´ ³ ÚÄÄ´<Ä¿ ³ ³ ³ ³
oÄÄÄÁÄÄÄÅÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÙ ³ ³ ³ÄÄ´S ³ ÀÄÄÄÄÄÄÄÄÅÄÄÄÄÄÄÙ
ÄÁÄ ³ ³MF4 ³ ³ ÄÁÄ
/// GND 1 RG1 ³ ³ ÀÄÄÄ´ \\\ GND 2
Úı±±±Ä¿ ³ ³ ³
³ ³ ³ ³ ³
T2 øÃÄÄ´ÃÄÄÅÄÄÙ ³ ³
oÄÄÄÄÄÄÄÄÄ¿ º Û CG1 ± RG3 ³ ³ Figura 2
ø Û º Û ± ³ ³
Gate Driver Û º ÃÄÄÄÄÄÄÅÄÄÄÄÄÄ)ÄÄÄÄÄÄÄÄÄÙ
Û º Û ø ± ³
oÄÄÄÄÄÄÄÄÄÙ º Û CG2 ± RG4 ³
ÃÄÄ´ÃÄÄÅÄÄÄÄÄÄÙ
³ ³
Àı±±±ÄÙRG2
Ac se puede observar un esquema de una conexi¢n para exitar a los
MOSFET SR's mediante un transformador exitador independiente. Se le aplica al
primario de T2 una forma de onda de ciclo activo de un 50%. Esto quiere decir
que 50% del tiempo est en una polaridad, y el otro 50% en la contraria, sin
utilizar PWM ni dead time, pero sincronizado con ‚l. Los elementos RG1 al RG4
y CG1 y CG2 son elementos de polarizaci¢n de las compuertas de los MOSFET y
a la vez sirven de "Snubbers", cancelando las oscilaciones que se pueden
llegar a generar entre las capacitancias de compuerta de los MOSFET, m s las
capacidades par sitas del bobinado de T2 y del conexionado, y la inductancias
de dispersi¢n del secundario de T2 y las dispersas del conexionado.
La idea consiste en encender cada MOSFET del sector rectificador, en
concomitancia con los MOSFET de potencia del primario, ver figura 3. Cuando se
enciende el MOSFET MF1 (per¡odo t1), hace a todos los terminales (ø) de T1
positivos con respecto a los otros. Simult neamente, la polaridad sobre T2
hace que el MOSFET MF3 tambi‚n se encienda (t1+t2), transfiriendo energ¡a del
secundario al inductor y la carga. Para ello, los terminales (ø) de T2 tambi‚n
deben hacerse positivos. Aunque la se¤al que encendi¢ a MF1 se extinga, la de
MF3 no lo hace (t2) permitiendo que ‚ste £ltimo se haga cargo de conducir la
corriente de freeweeling del inductor.
Al cambiar la polaridad de la exitaci¢n del transformador T2, r pida-
mente se saca de la conducci¢n a MF3 por aplic rsele una polaridad negativa a
su gate. Al mismo tiempo entra en conducci¢n el MF4 y el MF2, este £ltimo
imponiendo a todos los terminales (ø) polaridad negativa (t3). Entonces, el
terminal inferior del secundario de T1 se hace positivo y el MF4 (t3+t4)
conecta esa tensi¢n positiva con la entrada del inductor. Nuevamente, aunque
el ciclo de trabajo de MF2 termine, MF4 contin£a encendido (t4) hasta la
terminaci¢n del ciclo de actividad del medio ciclo. De esta manera, MF4 se
encarga de la corriente de recirculaci¢n del inductor. Como se ve, aunque m s
compleja que la versi¢n autoexitado donde la recirculaci¢n se hace a trav‚s
del diodo intr¡nseco del MOSFET (el cual es lento y con una ca¡da de unos .7
a .8V), aqu¡ se hace mediante el MOSFET propiamente dicho donde la ca¡da es
linealmente dependiente con la corriente, y por lo tanto, minimizable, aunque
nunca eliminable por completo.
Ciclo de actividad ër=50%
+ ÚÄÄÄÄÄ¿ ÚÄÄÄÄÄ¿ ÚÄÄÄÄÄ¿ ÚÄÄÄÄÄ¿ ÚÄÄÄÄÄ¿ MF3 on
Entrada ³ | ³ ³ | ³ ³ ³ ³ ³ ³ ³
en T2 0 ------³-----³-----³-----³-----³-----³-----³-----³-----³---
| | ³ ³ | ³ ³ ³ ³ ³ ³ ³
- | | ÀÄÄÄÄÄÙ | ÀÄÄÄÄÄÙ ÀÄÄÄÄÄÙ ÀÄÄÄÄÄÙ ÀÄÄÄ MF4 on
| | | | | | |
| | | | | | | Nivel de Ei/2ÄÄ¿
+ ÚÄÄÄ¿ | | ÚÄÄÄ¿ | ÚÄÄÄ¿ ÚÄÄÄ¿ ³ ÚÄÄÄ¿<- Ei MF1 on
³ ³ | | ³ ³ | ³ ³ ³ ³ V ³ ³
Entrada -----ÀÄ¿---ÚÄÙ---ÀÄ¿---ÚÄÙ---ÀÄ¿---ÚÄÙ---ÀÄ¿---ÚÄÙ---ÀÄ¿---ÚÄÙ--
de T1 | | ³ ³ | | ³ ³ ³ ³ ³ ³ ³ ³
- | | ÀÄÄÄÙ | | ÀÄÄÄÙ ÀÄÄÄÙ ÀÄÄÄÙ<- 0V ÀÄÄÄÙMF2 on
| | | | | | |
| | | | | | |
|t1 | |t3 | |t1'| | t1 + t3
| | | | | | | ..... ë = ÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄÄ < 50%
t2 t4 t2' t1 + t2 + t3 + t4
Figura 3
ÉÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍ»
º Redacci¢n y dibujos en ASCII por LW1DSE Osvaldo F. Zappacosta. º
º Barrio Garay, Almirante Brown (1846), Buenos Aires, Argentina. º
º Realizado con Editor de Texto de MSDOS 7.10's (edit.com) en mi AMD's 80486.º
º 26 de mayo de 2012. º
ÈÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍͼ
Fin del cap¡tulo #15.
ÉÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍ»
º Osvaldo F. Zappacosta. Barrio Garay (GF05tf) Alte. Brown, Bs As, Argentina.º
º Mother UMC æPC:AMD486@120MHz, 16MbRAM HD IDE 1.6Gb MSDOS 7.10 TSTHOST1.43C º
º Bater¡a 12V 160AH. 9 paneles solares 10W. º
º oszappa@yahoo.com ; oszappa@gmail.com º
ÈÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍÍͼ
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